F4150R17ME4B11BPSA1
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo.
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
230 A
Estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
la bandeja
Serie:
EconoDUALTM 3
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 150A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C
Corriente - límite del colector (máximo):
3 mA
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Envase / estuche:
Módulo
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
12 nF @ 25 V
Configuración:
Puente lleno
El termistor NTC:
No
Número del producto de base:
F4150R17: las condiciones de los productos
Introducción
Módulo IGBT Parada de campo de zanja Puente completo 1700 V 230 A Módulo montado en el chasis
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: