Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos
fabricante:
Tecnología de microchips
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
200 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
SP6
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 150A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
SP6
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
250 μA
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
480 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
9.2 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres niveles
El termistor NTC:
No
Número del producto de base:
APTGT150
Introducción
Módulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres niveles 600 V 200 A 480 W Montura del chasis SP6
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: