FP75R12KT3BOSA1 y sus componentes
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
Las emisiones de gases de efecto invernadero de las instalaciones eléctricas de los Estados miembros
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
105 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
la bandeja
Serie:
EconoPIMTM 3
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 75A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C
Corriente - límite del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
355 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
5.3 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Número del producto de base:
FP75R12: las condiciones de los productos
Introducción
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1200 V 105 A 355 W Modulo de montaje del chasis
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: