No obstante lo dispuesto en el artículo 4, apartado 1, letra b), del Reglamento (UE) n.o 525/2014, los Estados miembros podrán exigir que se apliquen los requisitos siguientes:
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
El módulo IGBT, CIB 1200 V, 25 A IG
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
25 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
El tubo
Serie:
-
Envase / estuche:
módulo 26-PowerDIP (1,199", 47.20m m)
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 25A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
26-DIP
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
250 μA
Tipo de IGBT:
-
Potencia - máximo:
20 mW
Ingreso:
puente rectificador trifásico
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
6,2 N-F @ 20 V
Configuración:
Inversor trifásico con el freno
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Número del producto de base:
NXH25
Introducción
Modulo IGBT Inverter de tres fases con freno 1200 V 25 A 20 mW a través del agujero 26-DIP
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: