El objetivo de la presente Directiva es garantizar que los productos de la Unión estén protegidos contra el riesgo de contaminación.
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
Modulo IGBT 1200V 10A 20MW fácil
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
10 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
la bandeja
Serie:
Las condiciones de las pruebas de seguridad deben ser las siguientes:
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
1.6V @ 15V, 10A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
El objetivo de las medidas de seguridad es:
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 75°C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
µA 4,5
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
20 mW
Ingreso:
puente rectificador trifásico
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
1.89 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Número del producto de base:
FP10R12
Introducción
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1200 V 10 A 20 mW Montado del chasis AG-EASY1B-2
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: