Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad de los equipos de seguridad.
fabricante:
Tecnología de microchips
Descripción:
El módulo IGBT 1200V 185A 650W SP3
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
185 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
SP3
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 100A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
SP3
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
50 µA
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
de una potencia de 650 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
6.15 nF @ 25 V
Configuración:
Medio puente
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Número del producto de base:
ApteGLQ100
Introducción
Módulo IGBT Trench Field Stop Medio puente 1200 V 185 A 650 W a través del agujero SP3
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Común:
MOQ: