MG150HF12TLC1
fabricante:
Tecnología Yangjie
Descripción:
Transistores - IGBT - módulos C1
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
150 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 150A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
-
El Sr.:
Tecnología Yangjie
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Foso
Potencia - máximo:
968 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
9.8 nF @ 25 V
Configuración:
Solo interruptor
El termistor NTC:
No
Introducción
Modulo IGBT de trampa con interruptor único 1200 V 150 A 968 W montado en el chasis
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