A1P35S12M3-F. Los componentes de las máquinas de ensayo y los equipos de ensayo
fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplican a las emisiones de gases de efecto invernade
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
35 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
la bandeja
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 35A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
AcepackTM 1
El Sr.:
STMicroelectrónica
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
100 μA
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
Las demás:
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
2.154 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Número del producto de base:
A1P35
Introducción
Módulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1200 V 35 A 250 W Montado de chasis ACEPACKTM 1
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Común:
MOQ: