El número de unidades de producción será el siguiente:
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
Módulo IGBT de baja potencia
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
95 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
la bandeja
Serie:
Las medidas de seguridad se aplican a los vehículos de transporte público.
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
1.38V @ 15V, 100A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
650 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método AG-EASY2B.
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
20 mW
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
14.3 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres niveles
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Número del producto de base:
F3L200
Introducción
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres niveles 650 V 95 A 20 mW Montado del chasis AG-EASY2B
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: