NXH35C120L2C2ESG
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
El módulo IGBT, CIB 1200 V, 35 A IG
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
35 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
El tubo
Serie:
-
Envase / estuche:
módulo 26-PowerDIP (1,199", 47.20m m)
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 35A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
26-DIP
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
250 μA
Tipo de IGBT:
-
Potencia - máximo:
20 mW
Ingreso:
puente rectificador trifásico
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
8.333 nF @ 20 V
Configuración:
Inversor trifásico con el freno
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Número del producto de base:
NXH35
Introducción
Módulo IGBT Inversor de tres fases con freno 1200 V 35 A 20 mW a través del agujero 26-DIP
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: