Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
fabricante:
Corporación Microsemi
Descripción:
El módulo IGBT 1200V 40A 227W SP2
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
40 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
El SP2
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 25A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SP2
El Sr.:
Corporación Microsemi
Temperatura de funcionamiento:
-
Corriente - límite del colector (máximo):
250 μA
Tipo de IGBT:
Tratado de No Proliferación Nuclear (TNP) y el campo de detención
Potencia - máximo:
227 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
2.02 nF @ 25 V
Configuración:
Puente lleno
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Número del producto de base:
Los datos de las personas afectadas
Introducción
Modulo IGBT NPT y Fieldstop Puente completo 1200 V 40 A 227 W a través del agujero SP2
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