Las condiciones de ensayo de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el momento en que se produzca el ensayo.
fabricante:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Descripción:
Se aplicará el método de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
61 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
EMIPAK-1B, incluido el EMIPAK-1B
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.52V @ 15V, 30A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
EMIPAK-1B, incluido el EMIPAK-1B
El Sr.:
Vishay General Semiconductor - División de diodos
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
230 μA
Tipo de IGBT:
Foso
Potencia - máximo:
Las demás:
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
3.34 nF @ 30 V
Configuración:
Inversor de tres niveles
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Número del producto de base:
En el caso de los vehículos de motor
Introducción
Modulo IGBT Trench Inversor de tres niveles 1200 V 61 A 216 W Montado en el chasis EMIPAK-1B
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: