FS660R08A6P2FBBPSA1
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
HYBRID PACK DRIVE (Dirección de paquetes híbridos)
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
450 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
la bandeja
Serie:
HybridPACK™
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
1.35V @ 15V, 450A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
750 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Ag-Híbrido-1
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Corriente - límite del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Potencia - máximo:
W 1053
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
80 N-F @ 50 V
Configuración:
Inversor de tres fases
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Introducción
Modulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 750 V 450 A 1053 W Montado del chasis AG-HYBRIDD-1
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: