F4150R06KL4BOSA1 y sus componentes
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
El módulo IGBT 600V 180A 570W
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
180A
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
la bandeja
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.55V @ 15V, 150A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C
Corriente - límite del colector (máximo):
5 mA
Tipo de IGBT:
-
Potencia - máximo:
570 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
6.5 nF @ 25 V
Configuración:
Puente lleno
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Número del producto de base:
F4150R
Introducción
Modulo IGBT Puente completo 600 V 180 A 570 W Modulo de montaje del chasis
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: