Los resultados de las pruebas de detección se han presentado en el ensayo.
fabricante:
Tecnología de microchips
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Categoría:
Productos de semiconductor discretos
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
130 A
Estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
Sección 1
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 100A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Sección 1
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-
Corriente - límite del colector (máximo):
250 μA
Tipo de IGBT:
El TNP
Potencia - máximo:
735 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
6.5 nF @ 25 V
Configuración:
No casado
El termistor NTC:
- Sí, es cierto.
Introducción
Modulo IGBT NPT de un solo 1200 V 130 A 735 W Montado en el chasis SP1
Envíe el RFQ
Común:
MOQ: